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半導體工業對于晶圓表面缺陷檢測的要求，一般是要求高效準確，能夠捕捉有效缺陷，實現實時檢測。將晶圓放于精密光學平臺上，選擇合適的入射光照射于晶圓表面，晶圓隨光學平臺及旋轉托盤而運動，完成表面的掃描。再通過CCD等收集反射光，得到晶圓表面圖像，傳到計算機，從而檢測晶圓表面的缺陷。

芯明天高精度P51壓電偏轉/掃描臺可以實現θx，θy方向偏轉及Z向升降，因其分辨率高、重復定位精度高、響應速度快等特點非常適于晶圓檢測，即可用于調節光路，又可調節晶圓樣品的觀測視角，大大提高了晶圓檢測的精度。

P51系列壓電偏轉臺為θx、θy 軸偏擺Z 軸升降臺，偏轉行程為±1.1mrad，Z軸直線行程可達100μm。臺體采用無回差柔性鉸鏈導向結構，采用有限元分析進行優化，具有超高的剛度以及導向精度。

產品特性

運動自由度：θx、θy、Z

直線行程：100μm@150V

偏擺角度：±1.1mrad/軸@150V

直線分辨率可達4nm

偏擺分辨率可達0.05μrad

通孔尺寸：80×80mm

承載可達1kg

仿真分析

通過有限元FEA 優化的鉸鏈用于導向機構偏轉臺。有限元分析技術用于設計運動方向上的剛度，并減少角度偏差。鉸鏈部分允許*精度的運動，因為鉸鏈機構無間隙、無摩擦。

帶載階躍時間

P51.ZT1S壓電偏擺臺配套E01.D3壓電控制器，加載240g負載達滿行程的階躍時間約50ms，加載500g 負載達滿行程的階躍時間約100ms。